ISPLSI2032A-80LTN48I

ISPLSI2032A-80LTN48I datasheet скачать даташит

Сообщить об ошибке

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

ISPLSI2032A-80LTN48I datasheet

Маркировка

ISPLSI2032A-80LTN48I
Производитель

Lattice Semiconductor
Описание

Lattice Semiconductor ISPLSI2032A-80LTN48I Delay Time: 18.5 ns Maximum Operating Frequency: 84 MHz Maximum Operating Temperature: + 85 C Memory Type: EEPROM Minimum Operating Temperature: - 40 C Mounting Style: SMD/SMT Number Of Macrocells: 32 Number Of Programmable I/os: 32 Operating Supply Voltage: 4.5 V to 5.5 V Package / Case: TQFP-48 Supply Current: 40 mA Supply Voltage - Max: 5.5 V Supply Voltage - Min: 4.5 V Number of Macrocells: 32 Number of Programmable I/Os: 32
Количество страниц

16 шт.
Форматы файла

HTML, PDF
(Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet ISPLSI2032A-80LTN48I.pdf
Файл формата Pdf 183,26 KB

Все даташиты (технические описания) представлены в формате PDF с использованием Adobe Acrobat Reader, который Вы можете бесплатно скачать.

Сообщить об ошибке

Где можно купить

ISPLSI2032A-80LTN48IОнлайн Компоненты

ISPLSI2032A-80LTN48IЭИК

ISPLSI2032A-80LTN48IТМ Электроникс

Разместить объявление

Новости электроники

<p>Новые технологии для ST микроконтроллера, опыт изготовителя и эффективность архитектуры STM32 дали возможность обеспечить отличный результат. Срок службы батареи составляет более чем 15 лет, также появились новые возможности по энергосбережению.</p>

Беспроводные MCU ST — оптимальное решение для эффективного промышленного мониторинга

25.05.2024

<p>TrendForce сообщает об очередных изменениях на рынке флэш-памяти NAND. В том числе на него повлияло сокращение производства, предусмотренное стратегией компании Samsung. У многих пользователей были определенные опасения, ситуацию усложняла неопределенность, приводящая к медленным закупкам, при этом количество запасов сократилось.</p>

По мнению TrendForce ожидается очередной рост выручки от продаж флэш-памяти NAND

24.05.2024

<p>Компания Infineon Technologies AG выпустила новейший МОП-транзистор на основе карбида кремния (SiC), CoolSiC MOSFET 650V и 1200V Generation 2, который стал новым достижением в области технологий преобразования энергии. Эта технология нового поколения значительно улучшает ключевые показатели производительности, такие как накопленная энергия и заряд, на 20 процентов по сравнению с предшественниками, без снижения качества и надежности. Это улучшение способствует повышению энергоэффективности, что вносит вклад в более широкие усилия по декарбонизации.</p>

Infineon представляет усовершенствованный SiC MOSFET для повышения энергоэффективности

22.05.2024

Еще новости

Электронные компоненты и радиодетали - Подробный каталог компонентов с фото, наличием и ценой. Удобный поиск. Экспресс доставка.

Электронные компоненты и радиодетали

Подробный каталог компонентов с фото, наличием и ценой. Удобный поиск. Экспресс доставка.

Разместить объявление

Подписаться на новости

Хотите интересные новости электроники? Подпишитесь на рассылку наших новостей.